何剛團隊圍繞非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(α-IGZO-TFT)的遷移率和穩定性的雙重提升開展瞭係統研究 提齣基於紫外照射與氧氛圍低溫超快退火協同處理模式實現瞭溝道層材料的氧空位缺陷調控和微結構重排 安徽大學何剛教授團隊在場效應器件集成領域取得重要進展 - 趣味新聞網

原標題：安徽大學何剛教授團隊在場效應器件集成領域取得重要進展

近期， 安徽大學材料科學與工程學院何剛教授團隊在場效應器件集成研領域取得瞭重要進展 ，相關研究成果以“ Ultraviolet-Assisted Low-Thermal-Budget-Driven α‑InGaZnO Thin Films for High-Performance Transistors and Logic Circuits ”為題發錶在國際材料領域頂級期刊《 ACS NANO 》。 安徽大學材料科學與工程學院2019級博士研究生張永春為第一作者 ，何剛教授為論文的通訊作者，安徽大學為第一通訊單位。

非晶氧化物半導體薄膜晶體管因具有高遷移率、透明及大麵積集成等優勢已成為當前平闆顯示器件的核心驅動元件。然而高k柵的引入誘導的界麵失穩及輸運退化已成為未來大尺寸高清顯示器件發展的障礙。

何剛團隊 圍繞非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(α-IGZO-TFT)的遷移率和穩定性的雙重提升開展瞭係統研究， 提齣基於紫外照射與氧氛圍低溫超快退火協同處理模式實現瞭溝道層材料的氧空位缺陷調控和微結構重排，有效避免瞭單一快速退火導緻的遷移率和關態電流同步增大的睏境，成功構築高遷移率（~23.12 cm2 V-1S−1）且超穩(SS~0.08 V/decade) α-IGZO-TFT器件和高增益全擺幅邏輯反相器（~13.8） 。該研究工作有望解決α-IGZO TFTs在未來超高清顯示應用中的穩定性問題，為將α-IGZO TFT集成到柔性電子係統中提供瞭一種簡便且可設計的優化工藝。

圖. 紫外照射與氧氛圍低溫超快退火協同處理模式及α-IGZO-HfAlO-TFT特性測試圖

該研究工作得到國傢自然科學基金麵上項目(11774001、51572002)、物科院開放課題(S01003101)、安徽省領軍人纔團隊項目(Z010118169)以及安徽省教育廳重點項目(KJ2021A1088)聯閤資助。

來源：安徽大學

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https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c01286

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