飛象網訊（馬鞦月/文）3月10日消息 今天長飛光縴光纜股份有限公司發布關於對外投資的公告稱 長飛布局第三代半導體 多元化觸角延伸 - 趣味新聞網

飛象網訊 （馬鞦月/文）3月10日消息，今天長飛光縴光纜股份有限公司發布關於對外投資的公告稱，已經在3月8日組建瞭競買聯閤體，報名參與在安徽長江産權交易所公開掛牌的《蕪湖太赫茲工程中心有限公司與蕪湖啓迪半導體有限公司閤並重組整體交易方案》的競標。其中，長飛公司及公司全資子公司武漢睿芯投資管理有限公司齣資人民幣約 78,000 萬元、競買聯閤體齣資約人民幣 142,967 萬元。

本次交易完成後，長飛將直接持有啓迪半導體約34.92%的股權、通過太赫茲投資中心和太赫茲投資基金間接持有啓迪半導體約2.18%的股權，閤計持有啓迪半導體約37.10%的股權，啓迪半導體將成為長飛子公司，太赫茲工程中心將成為啓迪半導體子公司，均納入長飛閤並財務報錶範圍內。

如今，隨著客戶需求的變化，以及企業自身發展的需要，長飛在鞏固傳統優勢産品的同時，大力發展多元化業務，此次交易也是長飛多元化舉措的重要布局。

據瞭解，啓迪半導體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代錶的第三代半導體産品的工藝研發和製造，該等第三代半導體器件産品主要用於新能源汽車、通信基站、光伏等相關領域。主要業務包括碳化矽和氮化鎵的外延、第三代半導體功率及射頻等相關芯片製造、功率模塊和功率單管封裝測試等全産業鏈的研發生産及銷售。其中，啓迪半導體目前主要負責業務運營，太赫茲工程中心主要負責持有業務運營所需的相關固定資産。

隨著 5G、新能源電動車等新興應用對功率元件效能需求提高，相較於第一代材料矽（Si）、鍺（Ge）以及第二代砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）對於溫度、頻率、功率已達極限，難以應用在更嚴苛環境上，第三代半導體的碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）在耐高溫、高電流的環境下仍有極佳效能。

2021年多個國傢政策加碼第三代半導體産業，我國也不例外。其中《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》中的科技前沿領域攻關專欄的集成電路中提到：“集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）、微機電係統（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化矽、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。”之後科技部、工信部全麵加大瞭對第三代半導體産業的支持和投入力度。

相關機構預測：2025 年全球功率半導體元件及模組市場規模將達274 億美元，其中第三代半導體SiC/GaN 市場占比從2021 年不到5%，擴大至2025 年約17%。